サンアントニオ発, March 05, 2018 (GLOBE NEWSWIRE) -- アプライドパワー･エレクトロニクス会議･展示会 (Applied Power Electronics Conference and Exposition、APEC) － GaNパワー半導体におけるグローバルなリーダー企業であるGaNシステムズ (GaN Systems) は本日、業界最高の定格電流を誇り、電力効率に優れた100V GaNパワートランジスタである100V、120A、5mΩのGaN E-HEMTデバイス [GS-010-120-1-T] を発表した。同社の90Aパーツの1.3倍の電流に対応し、同業界におけるその他の高電流GaNの定格電流の2.4倍から4.6倍になっている。GS-010-120-1-TはエンハンストモードのGaNオンシリコン･パワートランジスタであり、GaNシステムが提供している全てのダイ設計やパッケージの特長を活用している。この新しいGaNトランジスタは、テキサス州サンアントニオで2018年3月4日～8日に開催されるAPECの1041番ブースで展示される。
この画期的なトランジスタは、小型フォルムファクタで高電力を提供するパワーシステムを必要としている、自動車、産業、再生可能エネルギー業界における、成長中の48Vアプリケーションに最適である。GS-010-120-1-Tのような製品を商品化することで、長距離電気自動車、再生可能エネルギー装置の運転費削減、統合性の高い産業用電気機器の小型化などの実現に役立たせられる。
さらに、このトランジスタでは設計の柔軟性を向上させ、直ちに仕様を変更することができる。このトランジスタのフットプリントはGaNシステムズの100V、90A GaN E-HEMT (GS61008T) に対応しているため、ボードを変更せずにGS-010-120-1-Tに交換してパワーアップすることが可能である。同サイズのパッケージの現在の能力を引き上げることにより、同一のシステム容量で実質的に33%パワーアップできる。
GaNシステムの営業･マーケティング担当バイスプレジデント、ラリー･スパツィアーニ (Larry Spaziani) は次のように述べている。「当社のテクノロジーロードマップは、100Vと650Vの両方のアプリケーションでベストインクラスのGaNテクノロジーソリューションの成長中のニーズに応えられるように計画されています。新しい100V、120A GaN E-HEMTは、最近発表した650V、120A GaN E-HEMTと共に、当社が最近発売している高性能GaNトランジスタやソリューションの多様な製品の例です。GaNパワー半導体の世界的リーダーである当社では、厳しい要求を持つ現代のアプリケーションで、パワーシステムの効率と信頼性条件を超えるように設計されている製品を常にお届けしていくよう取り組んでいきます」
詳しくは、GaNシステムズの営業部まで問い合わせるか、APECの1041番ブースのGaNシステムをご覧いただきたい。
GaNシステムズについて
GaNシステムズ (GaN Systems) は、GaNパワー半導体におけるグローバルリーダーであり、データセンターのサーバ、再生可能エネルギーシステム、自動車、工業用モーター、家庭用電化製品などの要求が厳しい業種のニーズに独特な方法で応えている。
市場をリードするイノベーター企業であるGaNシステムでは、より小型化された低コストの高電力効率システムの設計を実現している。同社の受賞歴を誇る製品は、既存のシリコンの限度を超えたシステムデザインの可能性を切り開いている。トランジスタ性能のルールを変貌させることにより、GaNシステムズはパワー変換企業がその業界に革命をもたらし、世界を改革していくために役立っている。詳しくは、www.gansystems.com、またはFacebook、Twitter、LinkedInを参照のこと。
報道関係者の問い合わせ先
メアリー･プラシド (Mary Placido)
トライアー･アンド･カンパニー (Trier and Company) GaNシステムズ担当
mary@triercompany.com
本発表に付随する写真は、http://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/87199a82-f62c-4004-95e6-315e0b506118から入手可能である。