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Soitec étend son partenariat avec UMC afin de fournir des substrats de haute technicité pour la toute première solution de circuits intégrés 3D pour RF-SOI Soitec et UMC sont partenaires depuis plus...

Soitec extends partnership with UMC to provide leading engineered substrates for industry’s first 3D IC solution for RF-SOI Soitec and UMC have successfully partnered for over 11 years delivering...

MISE À DISPOSITION DU DOCUMENT D’ENREGISTREMENT UNIVERSEL 2023-2024 Bernin (Grenoble), France, le 5 juin 2024 – Soitec (Euronext Paris), un leader mondial de la conception et de la production de...

AVAILABILITY OF THE 2023-2024 UNIVERSAL REGISTRATION DOCUMENT Bernin (Grenoble), France, June 5, 2024 – Soitec (Euronext Paris), a world leader in the design and manufacturing of innovative...

Fait à Bernin, le 4 juin 2024 INFORMATION RELATIVE AU NOMBRE TOTAL DE DROITS DE VOTE ET D’ACTIONS COMPOSANT LE CAPITAL SOCIAL (Article L. 233-8 II du Code du commerce et article 223-16 du...

In Bernin, on June 4, 2024 INFORMATION RELATING TO THE TOTAL NUMBER OF VOTING RIGHTS AND SHARES FORMING THE SHARE CAPITAL (Article L. 233-8 II of the French Commercial Code and...

Soitec and Tokai Carbon concluent un partenariat stratégique afin de développer des substrats de carbure de silicium polycristallin destinés aux plaques SmartSiCTM de Soitec Dans le cadre de ce...

Soitec and Tokai Carbon enter into a strategic partnership to develop polycrystalline silicon carbide substrates for Soitec SmartSiCTM wafers Under this partnership, Tokai Carbon will supply 150mm...

X-FAB et Soitec coopèrent pour fournir la technologie SmartSiC™ à l'usine X-FAB de Lubbock (États-Unis) Ce partenariat permettra au vaste réseau de clients fabless de X-FAB d'accéder aux...

X-FAB and Soitec team up to offer SmartSiC™ at Lubbock plant, USA Partnership to bring power devices based on Soitec’s cutting-edge SmartSiC™ silicon carbide wafers to X-FAB’s extensive fabless...