日オタワ発, Feb. 28, 2018 (GLOBE NEWSWIRE) -- GaNパワー半導体におけるグローバルなリーダー企業であるGaNシステムズ (GaN Systems) は本日、業界で最強力の高性能GaNトランジスタ製品ラインにおけるリーダー的地位をさらに強化する、120A 650V GaN E-HEMTを公表した。
電力レベルが上がり続け、より大きな動作電流のニーズが高まっている中、GaNには多数の長所があり、自動車、産業、再生可能エネルギー業界における、より大きな電力レベルに適用が可能である。この画期的な製品ラインは、テキサス州サンアントニオで2018年3月4日～8日に開催されるパワーエレクトロニクスの展示会「Applied Power Electronics Conference and Exposition、APEC」の1041番ブースで披露される。
GaNシステムズの120A 650V GaN E-HEMTは、自動車のトラクションインバーター、高電力オンボードチャージャー (OBD)、大規模な蓄電システム、産業用モータードライブなどを含めた、20～500kW電力変換システムの電力密度を向上させる。このトランジスタは既存のGaNシステムの最大定格電流パーツの2倍の電流に対応可能であり、同一の容量で実質的に2倍の電力処理能力を提供する。
同製品 (GS-065-120-1-D) はモジュール構築を行う顧客にダイとして販売され、パワー半導体業界において最小のRDS(on)、最大電流650VのGaN HEMTである。モジュールは高電力エレクトロニクスにおける重要なフォルムファクタであり、市場の最大40%を占めている。このダイ製品はハーフブリッジ、フルブリッジ、シックスパックのモジュールトポロジーで使用し、強化されたハイパワー設計を達成できる。
GaNシステムズのCEO、ジム･ウィサム (Jim Witham) は次のように述べている。「モジュール用に最適化した市場で最も画期的なGaN製品であり、埋め込み型と従来のモジュールテクノロジーの両方に対応しています。当社の代表製品の延長として、使いやすさ、高電力密度、高効率という、GaNテクノロジーとGaNパワートランジスタに対する当社のアプローチのすべての効果を備えています。そのため、より小型で低コストの電力システムで前代未聞の電力レベルを実現することができます」
詳しくは、GaNシステムズの営業部まで問い合わせるか、APECの1041番ブースのGaNシステムを訪れていただきたい。
GaNシステムズについて
GaNシステムズ (GaN Systems) は、GaNパワー半導体におけるグローバルリーダーであり、データセンターのサーバ、再生可能エネルギーシステム、自動車、工業用モーター、消費者用電子製品などの要求が厳しい業種のニーズに独特な方法で応えている。
市場をリードするイノベーター企業であるGaNシステムでは、より小型化された低コストの高電力効率システムの設計を実現している。同社の受賞歴を誇る製品は、既存のシリコンの限度を超えたシステムデザインの可能性を切り開いている。トランジスタ性能のルールを変貌させることにより、GaNシステムズはパワー変換企業がその業界に革命をもたらし、世界を改革していくために役立っている。詳しくは、www.gansystems.com、またはFacebook、Twitter、LinkedInを参照のこと。
報道陣関係者向けの問い合わせ先
メアリー･プラシド (Mary Placido)
トライアー･アンド･カンパニー (Trier and Company) GaNシステムズ担当
mary@triercompany.com
本発表に付随する写真は、http://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/42067de0-771a-482b-948f-5c13fc3a2bf7から入手可能である。