GT Advanced Technologies 與安森美半導體簽署碳化矽材料的生產及供應協議

這項為期五年的協議將促進高需求的寬帶隙材料之全球供應


新罕布什爾州哈德森, March 19, 2020 (GLOBE NEWSWIRE) -- GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半導體(NASDAQ:ON)今天宣布執行一項為期五年的協議,其潛在價值為 5,000 萬美元。根據該協議,GTAT 將為推動節能創新的全球領導者安森美半導體生產及提供其在高能效市場和應用中使用的 CrystX™ 碳化矽(SiC)材料。

GTAT 主席兼行政總裁 Greg Knight 表示:「我們非常高興與安森美半導體合作,他們是電力電子應用的先進半導體領域上公認的全球領導者。我們今天的協議有助於解決 SiC 作為功率電子應用中首選半導體襯底材料的嚴峻走勢。」

「將安森美半導體在大批晶圓生產方面 40 年的經驗與 GTAT 的專業知識以及 SiC 晶體成長的快速發展互相結合,將為動態大功率寬帶隙市場創造出強大而可擴展的供應鏈。」安森美半導體的全球供應鏈高級副主席 Brent Wilson 補充說。 「我們很高興與 GTAT 合作,進一步開發 SiC 寬帶隙材料技術,並鞏固我們在這個發展迅速的領域上的領導地位。」

電動汽車(EV)牽引系統、混合動力及插電式 EV、太陽能和能源儲存及 EV 充電等高增長應用也需要及依賴高質量和具有成本競爭力的 SiC 材料的強勁供應。安森美半導體將使用 GTAT 專有的 150mm SiC 晶體來製作 SiC 晶片,以進一步提高其作為 SiC 供應鏈中一站式供應商的角色,並維持世界一流的供應水平。協議將促進業界領先的 SiC 在電動汽車(EV)牽引等高增長應用的可用性,並幫助工程師解決業界最獨特的設計挑戰。

關於 GTAT Corporation

GTAT Corporation 總部位於美國新罕布什爾州哈德森,主要生產用於高增長市場的碳化矽和藍寶石材料。這些材料是加速採用新一代產品的基礎,例如電動汽車、大功率工業電機、電訊基礎設施以及航空航天/國防系統。碳化矽和藍寶石為這些應用提供了廣獲認證的技術優勢。GTAT 是這些多元化市場領導者在重要供應鏈上的合作夥伴。有關公司的更多資訊,請瀏覽 www.gtat.com

關於安森美半導體

安森美半導體 (Nasdaq: ON) 正在推動節能創新,幫助客戶大力減少全球能源消耗。該公司是建基在半導體解決方案的領先供應商,提供能源效率高的電源管理、模擬、感應器、邏輯、定時、連接、分離、SoC 及訂制設備等全面的產品組合。該公司的產品可幫助工程師解決在 汽車、通訊、電腦運算、消費、工業、醫療、航空航天和國防應用上獨特的設計挑戰。安森美半導體在整個北美、歐洲及亞太地區的主要市場設有反應迅速、可靠、世界一流的供應鏈和質量計劃,也是健全的合規與道德計劃以及製造設施、營業辨事處和設計中心的網絡。如欲了解更多資訊,請瀏覽 http://www.onsemi.com

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營銷傳訊經理
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