GT Advanced Technologies und GlobalWafers unterzeichnen langfristigen, Mehrjahres-Liefervertrag für Siliziumkarbid

HUDSON, N.H. und HSINCHU, Taiwan, Aug. 08, 2019 (GLOBE NEWSWIRE) -- GTAT Corporation, d/b/a GT Advanced Technologies (GTAT) und GlobalWafers Co., Ltd. (GWC) haben eine langfristige Vereinbarung getroffen, in der die Expertise beider Unternehmen kombiniert wird, um eine neue Bezugsquelle für Siliziumkarbid-Wafer zu schaffen. GWC, bereits einer der weltweit führenden Hersteller von Halbleiter-Waferlösungen, wird sein Angebot nun um 150 mm Siliziumkarbid erweitern, das aus SiC-Kristall in großen Mengen durch GTAT hergestellt wird. Während sich die Elektrofahrzeug- (EV) und die Leistungselektronikindustrie von Silizium zu Siliziumkarbid verlagern, bringen GTAT und GWC ihre jeweiligen Fähigkeiten zusammen, um das Angebot zu erhöhen und gleichzeitig die Kosten für dieses anspruchsvolle Substratmaterial zu senken. Dies ist ein mutiger und zukunftsweisender Schritt, den expandierende Märkte wie EV begrüßen werden.

„Die grundlegenden Vorteile von Siliziumkarbid sind bekannt und die Nachfrage ist hoch, aber es ist ein schwierig herzustellender Werkstoff“, sagt Greg Knight, Präsident und Chief Executive Officer von GTAT. „Aufgrund unseres Know-how und unserer Fähigkeit, diesen komplexen Prozess zu meistern, können wir die Siliziumkarbid-Waferindustrie positiv gestalten und beeinflussen, indem wir die Lieferkette diversifizieren, höhere Wafermengen ermöglichen und die Kosten für dieses hochwertige Material deutlich senken," sagt Knight.

Die Vereinbarung mit GWC stellt für beide Unternehmen einen großen Fortschritt dar. Für GTAT markiert es den erfolgreichen Abschluss eines achtzehnmonatigen Übergangs vom Verkauf von Equipment hin zur Bereitstellung moderner Materialien. GWC, das diese eingehende Lieferung von Siliziumkarbidmaterial von GTAT nutzt, kann nun jahrelange Erfahrung in der Entwicklung von Waferprozessen nutzen und ist sofort ein führender Anbieter von SiC-Wafern, was seine anderen Substratangebote ergänzt. „Die Leistungselektronikindustrie braucht Lieferverträge, wie wir sie mit GWC abgeschlossen haben, und wir freuen uns sehr, dies zu realisieren", sagt Knight.

Doris Hsu, Vorsitzende und Chief Executive Officer von GWC, sieht diese langfristige Vereinbarung mit GTAT ähnlich. „Die Zusammenführung der jeweiligen technischen Stärken unserer Unternehmen wird Wachstumsindustrien wie EV zugute kommen, da wir das weltweite Angebot an Siliziumkarbid-Wafern erhöhen werden“, so Frau Hsu.  „Die Kombination unserer Expertise in Wafern mit GTATs erstklassigem Siliziumkarbidkristall wird es bedeutenden, wachstumsstarken Branchen wie EV ermöglichen, wichtige Meilensteine bei der Einführung schneller und kostengünstiger zu erreichen.“

Über die GTAT Corporation

Die GTAT Corporation mit Hauptsitz in Hudson, N.H., USA, ist ein diversifiziertes Technologieunternehmen, das fortschrittliche Materialien und innovative Kristallzuchttechnologie für die Solar-, Leistungs- und Optoelektronikindustrie herstellt. Die technischen Innovationen des Unternehmens beschleunigen das Wachstum einer neuen Produktgeneration auf diesen diversifizierten globalen Märkten. Weitere Informationen über das Unternehmen erhalten Sie auf www.gtat.com.

Über GlobalWafers Co., Ltd.

GlobalWafers,mit Sitz in Hsinchu, Taiwan, ist einer der drei größten Siliziumwaferhersteller der Welt. Gegründet 1981, war es der Halbleiterbereich der SAS (Sino-American Silicon Product Inc.) und wurde 2011 als GlobalWafers Co., Ltd. ausgegliedert. Die auf die Herstellung von Siliziumwafern spezialisierten Produktanwendungen erstrecken sich über Power Management, Automotive, IT, Speicher, Sensoren und MEMS. GlobalWafers verfügt über 16 Standorte in Taiwan, Japan, den USA, Korea, Italien, Dänemark, Malaysia, China und Singapur und ist an der Taipeh Stock Exchange notiert.  Weitere Informationen über GlobalWafers finden Sie unter http://www.sas-globalwafers.com.