台湾、台北, June 28, 2023 (GLOBE NEWSWIRE) -- 特殊ストレージとメモリ・ソリューションのグローバル・リーダーである ATPエレクトロニクス社は、Gen 4 PCIe®を備えた最新の高速N601シリーズ M.2 2280およびU.2ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)を発表しました。 NVMe™プロトコルをサポートしており、PCIe Gen 4 SSDのデータ レート16GT/sはGen3の2倍で、各PCIeレーンの帯域幅は2GB/sです。
x4レーンが使用できるこれらの SSD は最大帯域幅8GB/sを備え、今日の要求の厳しいアプリケーションにおいて増大する高速データ転送のニーズを満たし、リード/ライトの両方が集中するネットワーク/サーバー、5G、データロギング、監視、画像処理システムなどのミッションクリティカルな産業用アプリケーションに適しています。市場で主流となっている民生用PCIe Gen 4 SSD と同等以上のパフォーマンスを備えています。
176層NANDフラッシュとDRAM搭載により優れた QoS を提供、
512Gビット・ダイの採用によりGBあたりのコストを削減
N601シリーズは、革新的な176層3D NANDフラッシュで構成されており、512Gビット・ダイを使用することで、64層テクノロジーに比べてパフォーマンスが向上するだけでなく、価格も改善され、結果としてGBあたりのコストが削減されます。
M.2 2280 SSDは240GBから最大3.84TB まで、U.2 SSDは960GBから7.68TB までの容量の準備があり、さまざまなストレージ要件に対応するコスト効率のより高いオプションが用意されています。
前世代と比較して優れたサービス品質(QoS)レーティングを備えたN601シリーズは、DRAM搭載のおかけで、より高いリード/ライト・パフォーマンス、高い IOPS、低い書き込み効率指数(WAI)、および低レイテンシーによる最適な整合性と予測可能性を提供します。 DRAM 搭載ソリューションは、DRAM未搭載と比較して、長期間の動作にわたって高い持続的なパフォーマンスを実現します。
将来に備えた長期供給サポート
SSD の寿命を最大限に延ばすこと、および同様なコンシューマ・グレードの同等品が生産中止になった後も交換用ユニットを入手できるようにすることは、企業が投資を最大限に活用するために重要です。 これが、弊社が長期供給サポートに注力している理由です。
「176層TLC NANDフラッシュをベースにしたこの新しい製品ラインを導入できることに興奮しています。 200+層でリリースされている新しいNANDもありますが、これらは1Tビット以上の容量に焦点を当てています。 512Gビット容量の 176層3D TLC NAND は、中容量およびそれ以下の容量のSSDデバイスに対する継続的なニーズを考慮すると、多くの組み込みアプリケーションおよび特定のアプリケーションにとってスイート スポットのダイ容量であり続けます。」
「競争力のある価格での地位に加えて、この世代では、すべての温度範囲でレイテンシーの改善と信頼性の向上が提供されます。 おそらく、弊社顧客の視点に立ってさらに重要なのは、この世代が予見可能な将来にわたって製品寿命を延ばすことになるでしょう。 多くの場合、5年以上の製品寿命計画を必要とする弊社顧客の視点に立って、当社は自信を持って取り組むことができます。」 とATPエレクトロニクス社長の Jeff Hsieh は述べています。
安心・安全な動作
N601 シリーズは、以下のような信頼性、セキュリティ、データ整合性に関する多数の機能を提供します。
• エンドトゥーエンドのデータパス保護、TRIM 機能のサポート、LDPC エラー訂正
• 耐硫化抵抗器は、硫黄汚染による有害な影響を防ぎ、硫黄含有量が高い環境下でも継続した安定動作を保証します。
• 自己暗号化ドライブ (SED) 用のハードウェアベース AES-256暗号化とオプションのTCG Opal 2.0 / IEEE 1667 セキュリティ
• N601Sc シリーズは、C-Temp(0℃~70℃)定格により、さまざまな温度変化においても信頼性の高い動作を提供します。 I-Temp(-40℃~85℃) 動作可能のN651Siシリーズは今後リリース予定です。
• サーマル・スロットリングは、動作単位時間あたりのワークロードをインテリジェントに調整します。 スロットル・ステップが事前に設定されているため、コントローラーが発熱を効果的に管理して SSDを冷却できるようになります。 これにより、安定した持続的なパフォーマンスが確保され、熱によるデバイスの損傷が防止されます。 ヒートシンク・オプションはプロジェクト毎、あるいは顧客のご要望に応じて選択可能です。
• 電断対策 (PLP) メカニズム。 N601シリーズU.2および今後のI-Temp M.2 2280 SSDは、ハードウェアベースのPLPを備えています。 実装されているコンデンサは、最後のリード/ライト/消去コマンドが確実に完了し、データが不揮発性フラッシュメモリに安全に保存される時間に対して充分な電力を保持します。 マイクロコントローラー・ユニット(MCU)ベースのデザインにより、さまざまな温度、電力グリッチ、負荷状態で、PLPアレイはインテリジェントに動作し、デバイスとデータの両方を保護します。 一方、C-TempのM.2 2280 SSDはファームウェアベースのPLPを備えており、電源喪失前にデバイスに書き込まれたデータを効果的に保護します。
ミッション-クリティカルなアプリケーション: We Build With You
プロジェクト毎のサポートと顧客のご要求に応じて、弊社はハードウェア/ファームウェアのカスタマイズ、熱ソリューションのカスタマイズ、エンジニア共同検証を提供致します。
ミッション-クリティカルなアプリケーションのデザインへの信頼性を確保するため、弊社では広範囲なテスト、包括的なデザイン/製品の特性評価と仕様の検証、量産 (MP) 段階でのバーンイン、電源サイクル、特定テストスクリプトなどのカスタマイズされたテストを実行します。
主な仕様
PCIe® Gen 4 NVMe M.2 2280 | PCIe® Gen 4 NVMe U.2 | ||||
容量 | 240 GB to 3.84 TB | 960 GB to 7.68 TB | |||
動作保証温度 | C-Temp (0°C~70°C): N601Sc I-Temp (-40°C~85°C): N651Si (今後リリース予定) | ||||
最適な放熱のための熱管理 * | • ニッケル被覆銅製ヒートスプレッダー • 4mmまたは8mmフィンタイプヒートシンク | 15mmフィンタイプヒートシンク | |||
セキュリティ * | AES-256暗号化 TCG Opal 2.0 | ||||
データ整合性 | エンドトゥーエンドのデータパス保護 | ||||
パフォーマンス | リード(最大) 6,450MB/s ライト(最大) 6,050MB/s | リード(最大) 6,000MB/s ライト(最大) 5,500MB/s | |||
その他 | ホットスワップ対応 |
※プロジェクト毎にサポート
N601/N651 シリーズ PCIe Gen 4 x4 M.2 SSDの詳細については、以下のURLを参照してください。
https://www.atpinc.com/jp/products/industrial-gen4-nvme-M.2-ssd
N601/N651 シリーズ PCIe Gen 4 x4 U.2 SSDの詳細については、以下のURLを参照してください。
https://www.atpinc.com/jp/products/industrial-gen4-U.2-ssd
プレスリリースに関するメディア担当者:Kelly Lin (Kellylin@tw.atpinc.com)
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ATPについて
ATP エレクトロニクス (「ATP」) は、厳しい製品性能を求められる組み込み/産業/自動車アプリケーション向けのDRAMモジュールおよび NANDフラッシュ ストレージ製品の主要なプロバイダーとして、30 年間以上にわたり卓越した製造に専念してきました。 「特殊ストレージおよびメモリ ソリューションのグローバル・リーダー」として、ATP は熱および高耐久性ソリューションに関する専門知識を有することで市場に広く知られています。 ATP は、顧客に付加価値、差別化、最高のTCO (Total Cost of Ownership) をご提供することにフォーカスを当てています。 専業メーカーである ATP は、製造プロセスの全ての工程を管理し、品質と製品寿命を保証します。 ATP は、グローバル・サプライチェーン全体で労働者、環境、およびビジネスに持続可能な価値を保証することにより、企業の社会的責任を最高水準に維持します。ATPに関する詳細については、www.atpinc.com にアクセスするか、info@atpinc.com までお問い合わせください。
この発表に関する写真はこちらで入手可能:
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