TAIPEI, Taiwan, June 28, 2023 (GLOBE NEWSWIRE) -- A ATP Electronics, líder global em soluções especializadas de armazenamento e memória, apresenta os seus mais recentes drives de estado sólido (SSDs) N600 Série M.2 2280 e U.2 de alta velocidade com a interface PCIe® da 4a. geração e suporte ao protocolo NVMe™. A taxa de dados de 16 GT/s dos novos SSDs ATP PCIe Gen 4 é duas vezes mais alta do que a da geração anterior, resultando em uma largura de banda de 2 GB/s para cada linha PCIe.
Com linhas x4, esses SSDs têm uma largura de banda máxima de 8 GB/s, atendendo à crescente necessidade de transferência de dados de alta velocidade nos aplicativos exigentes de hoje, e tornando-os adequados para aplicativos industriais de leitura/gravação intensiva e de missão crítica, como rede/servidor, 5G, registro de dados, vigilância e imagem, com desempenho igual ou melhor do que os principais SSDs de consumo PCIe Gen 4 do mercado.
176-Layer NAND Flash, Onboard DRAM Oferecem QoS excepcionais,
Menor Custo por GB com Pacote Prime de Matriz de 512 Gbit
A série N600 é baseada no flash NAND 3D de 176 camadas e usa o pacote de matriz de 512 Gbit para oferecer aprimoramentos de desempenho em relação à tecnologia de 64 camadas, além dos aprimoramentos de preço, resultando em menor custo por GB.
Os SSDs M.2 2280 estão disponíveis em capacidades de 240 GB a 3.84 TB, enquanto os SSDs U.2 estão disponíveis de 960 GB a 7.68 TB para opções mais econômicas para diversos requisitos de armazenamento.
Com uma excelente classificação de Qualidade de Serviço (QoS) em comparação com a geração anterior, a Série N600 oferece consistência e previsibilidade ideais com maior desempenho de leitura/gravação, alto IOPS, baixo índice de amplificação de gravação (WAI) e baixa latência, graças à sua DRAM integrada. A DRAM integrada oferece maior desempenho sustentado durante longos períodos de operação em comparação com soluções sem DRAM.
Suporte de Fornecimento de Longo Prazo Pronto para o Futuro
A maximização da vida útil do SSD, bem como a disponibilidade das unidades de reposição muito depois das contrapartes similares de nível de consumidor terem parado a produção, é importante para que as empresas possam aproveitar ao máximo seus investimentos. É por isso que a ATP Electronics está comprometida com o suporte à longevidade.
“Estamos entusiasmados com o lançamento desta nova linha de produtos com base no flash NAND de células de nível triplo (TLC) de 176 camadas. Embora existam novas iterações de NAND sendo lançadas em camadas 2XX+, estas se concentrarão em 1 Tbit e tamanhos de densidade maiores. O NAND 3D TLC de 176 camadas com densidade de 512 Gbit continua a ser a densidade ideal para muitas aplicações integradas e especiais, dada a sua necessidade contínua de densidades médias e baixas de dispositivos SSD.
“Além de preços competitivos, esta geração oferecerá melhorias de latência e confiabilidade em todas as faixas de temperatura. Talvez ainda mais importante para a nossa base de clientes, esta geração oferecerá longevidade do produto para o futuro previsto. Podemos trabalhar em confiança com nossa base de clientes, muitas vezes precisando de planejamento de longevidade do produto por mais de 5 anos”, disse Jeff Hsieh, Presidente e Diretor Executivo da ATP Electronics.
Operação Confiável e Segura
A série N600 oferece diversos de recursos de confiabilidade, segurança e integridade de dados, como:
- Proteção total dos dados, suporte à função TRIM e correção de erros LDPC
- Resistores anti-enxofre repelem os efeitos nocivos da contaminação pelo enxofre, garantindo operação confiável contínua mesmo em ambientes com alto teor de enxofre
- Criptografia AES de 256 bits com base em hardware e segurança opcional TCG Opal 2.0/IEEE 1667 para unidade de criptografia automática (SED)
- A série N600Sc oferece operação confiável em temperaturas variáveis com classificação C-Temp (0 ℃ a 70 ℃). A série N600Si operável por I-Temp (-40℃ a 85℃) estará disponível mais tarde.
- A limitação térmica ajusta de forma inteligente a carga de trabalho por unidade de tempo operacional. Os estágios de controle são pré-configurados, permitindo que o controlador gerencie efetivamente a geração de calor para manter o SSD frio. Isso garante um desempenho sustentado e estável, e evita que o calor danifique o dispositivo. As opções do dissipador de calor estão disponíveis por projeto e de acordo com o pedido do cliente.
- Mecanismo de proteção contra perda de energia (PLP). O N600 Series U.2 e os próximos SSDs M.2 2280 com classificação I-Temp apresentam PLP com base em hardware. Os capacitores integrados mantêm a energia por tempo suficiente para garantir que o último comando de leitura/gravação/exclusão seja concluído e os dados sejam armazenados com segurança na memória flash não volátil. O design com base em unidade de microcontrolador (MCU) permite que a matriz PLP funcione de forma inteligente em várias temperaturas, falhas de energia e estados de carga para proteger o dispositivo e os dados. Os SSDs M.2 2280 com classificação C-Temp, por outro lado, apresentam um PLP com base em firmware, protegendo os dados que foram gravados no dispositivo antes da perda de energia.
Aplicações de Missão Crítica: Nós Trabalhamos com Você
Dependendo do suporte do projeto e da solicitação do cliente, a ATP pode fornecer personalização de hardware/firmware, personalização de soluções térmicas e validação e colaboração conjunta de engenharia.
Para garantir a confiabilidade do projeto para aplicações de missão crítica, a ATP realiza testes extensivos, caracterização abrangente do projeto/produto, e validação de especificações e testes personalizados no estágio de produção em massa (MP), como burn-in, ciclo de energia, scripts de testes específicos e muito mais.
Destaques do Produto
PCIe® Gen 4 NVMe M.2 2280 | PCIe® Gen 4 NVMe U.2 | |
Capacidade | 240 GB a 3.84 TB | 960 GB a 7.68 TB |
Temp Operacional | C-Temp (0 °C a 70 °C): N600ScI-Temp (-40 °C a 85 °C): N600Si (a ser lançada) | |
Gerenciamento Térmico para Dissipação Ideal de Calor | Distribuidor de calor de cobre revestido de níquel com design de dissipador de calor tipo barbatana de 4 mm ou 8 mm | Design de dissipador de calor tipo barbatana de 15 mm |
Segurança | Criptografia AES de 256 bits TCG Opal 2.0 | |
Integridade de Dados | Proteção total do caminho dos dados | |
Desempenho (leitura/gravação até) | 6.450/6.050 MB/s | 6.000/5.500 MB/s |
Outros | Capacidade de Hot-swap |
*Por Suporte ao Projeto
Para obter mais informações sobre os SSDs N600 Series PCIe Gen 4 x 4 M.2 da ATP, visite:
https://www.atpinc.com/products/industrial-gen4-nvme-M.2-ssd
Para obter mais informações sobre os SSDs N600 Series PCIe Gen 4 x 4 U.2 da ATP, visite:
https://www.atpinc.com/products/industrial-gen4-U.2-ssd
Contato com a Mídia no Comunicado à Imprensa: Kelly Lin (Kellylin@tw.atpinc.com)
Siga a ATP Electronics no LinkedIn: https://www.linkedin.com/company/atp-electronics
Sobre a ATP
A ATP Electronics (“ATP”) tem 30 anos de excelência em fabricação como o principal fornecedor de produtos de memória e de armazenamento flash NAND para aplicações rigorosas embarcadas/industriais/automotivas. Como “Líder Global em Soluções Especializadas de Armazenamento e Memória”, a ATP é conhecida por sua experiência em soluções térmicas e de alta resistência. A ATP está empenhada em fornecer valor adicional, diferenciação e melhor TCO para os clientes. Um verdadeiro fabricante, a ATP gerencia todas as etapas do processo de fabricação para garantir qualidade e longevidade do produto. A ATP mantém os mais altos padrões de responsabilidade social corporativa, garantindo valor sustentável para os trabalhadores, meio ambiente e negócios em toda a cadeia de suprimentos global. Para mais informações sobre a ATP Electronics, visite www.atpinc.com ou contacte-nos em info@atpinc.com.
Fotos deste comunicado podem ser encontradas em:
https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/56be0635-5027-442b-b9e7-c64c43e353d7
https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/3f0e3129-6f53-4366-b5bc-fd0cdc86f5a1
https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/63c5d538-09c1-4481-a188-e66cc487ecc9
https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/512ea038-214a-4b27-bbf4-adf8fa8a3fac
https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/400709dd-4d79-4e2a-ad76-e3bc7266f7a5
https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/933e1523-0df5-485d-9a11-e130864b199b