HUDSON, NH e HSINCHU, Taiwan, Aug. 08, 2019 (GLOBE NEWSWIRE) -- GTAT Corporation, d/b/a GT Advanced Technologies (GTAT) e GlobalWafers Co., Ltd. (GWC) hanno siglato un accordo a lungo termine attraverso il quale l'esperienza di entrambe le società si unirà per creare una nuova fonte di fornitura di wafer di carburo di silicio.GWC, già uno dei principali produttori mondiali di wafer a semiconduttore, aggiungerà ora alla sua offerta il carburo di silicio da 150 mm, prodotto dal cristallo di SiC sfuso prodotto da GTAT.In un momento in cui le industrie dei veicoli elettrici (EV) e dell'elettronica di potenza si stanno spostando dal silicio al carburo di silicio, GTAT e GWC decidono di unire le loro rispettive capacità per aumentare l'offerta e ridurre i costi per questo materiale di substrato molto richiesto.Si tratta di un passo audace e lungimirante che sarà ben accolto dai mercati in espansione come quello dell'EV.
"I vantaggi fondamentali del carburo di silicio sono ben noti e la domanda è elevata, ma si tratta di un materiale difficile da produrre", ha affermato Greg Knight, Presidente e CEO di GTAT."Grazie al nostro know-how nell'ambito della crescita dei cristalli e alla nostra capacità di padroneggiare questo complesso processo, siamo in grado di modellare e influenzare positivamente il settore dei wafer in carburo di silicio diversificando la catena di fornitura, consentendo volumi di wafer più elevati e riducendo significativamente i costi per questo materiale di alto valore", ha continuato.
L'accordo con GWC rappresenta per entrambe le società una possibilità per compiere importanti progressi.Per GTAT, segna il completamento di una transizione di diciotto mesi dalla vendita di attrezzature alla fornitura di materiali avanzati.GWC, utilizzando questa fornitura di materiale in carburo di silicio di GTAT, può ora applicare anni di sviluppo del processo di wafering e diventare immediatamente un fornitore di wafer di SiC di alto livello per integrare le sue altre offerte di substrati."L'industria dell'elettronica di potenza ha bisogno di accordi di fornitura come quello che abbiamo stipulato con GWC e siamo molto lieti di renderlo realtà", ha concluso Knight.
Doris Hsu, Presidente e CEO di GWC, vede questo accordo a lungo termine con GTAT allo stesso modo."Unire i rispettivi punti di forza tecnici delle nostre aziende andrà a beneficio di settori ad alta crescita come l'EV perché aumenteremo la fornitura globale di wafer di carburo di silicio", ha osservato Hsu. "L'abbinamento della nostra esperienza nel wafering con i cristalli di carburo di silicio di prima qualità di GTAT consentirà a settori importanti e ad alta crescita come l'EV di raggiungere prima i milestone dell'adozione ad un costo inferiore".
Informazioni su GTAT Corporation
GTAT Corporation, sede a Hudson, N.H.USA è una società tecnologica diversificata che produce materiali avanzati e tecnologie innovative per la crescita dei cristalli per l'industria solare, elettronica di potenza e optoelettronica.Le innovazioni tecniche dell'azienda accelerano lo sviluppo di una nuova generazione di prodotti in questo insieme diversificato di mercati globali.Per ulteriori informazioni sull'azienda, visitare il sito www.gtat.com.
Informazioni su GlobalWafers Co., Ltd.
GlobalWafers, con sede a Hsinchu, Taiwan, è uno dei tre maggiori produttori al mondo di wafer di silicio.Fondata nel 1981, è stata la business unit dei semiconduttori di SAS (Sino-American Silicon Product Inc.) e si è trasformata in GlobalWafers Co., Ltd. nel 2011.Specializzata nella produzione di wafer di silicio, le sue applicazioni di prodotto si estendono nei settori relativi ad alimentazione, automobilistica, IT, memoria, sensori e MEMS.GlobalWafers gestisce 16 strutture in Taiwan, Giappone, Stati Uniti, Corea, Italia, Danimarca, Malesia, Cina e Singapore ed è quotata alla Borsa di Taipei. Per ulteriori informazioni su GlobalWafers, visitare il sito http://www.sas-globalwafers.com.
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