HUDSON, New Hampshire (États-Unis), 18 mars 2020 (GLOBE NEWSWIRE) -- GT Advanced Technologies (GTAT) et ON Semiconductor (NASDAQ : ON) ont annoncé aujourd’hui la mise en œuvre d’un accord sur cinq ans portant sur un montant potentiel évalué à 50 millions de dollars. Cette entente permettra à GTAT de produire et fournir son matériau en carbure de silicium CrystX™ (SiC) à ON Semiconductor, l’un des leaders mondiaux en matière d’innovations à haut rendement énergétique, en vue de leur exploitation pour des marchés et des applications en pleine croissance
« Nous sommes extrêmement satisfaits de travailler en partenariat avec ON Semiconductor, un leader mondial reconnu dans le domaine des semi-conducteurs pour les applications d’électronique de puissance, a déclaré Greg Knight, président directeur-général de GTAT. Notre accord présent nous permet d’aborder la trajectoire majeure du SiC en tant que substrat de semi-conducteur préférentiel pour les applications d’électronique de puissance », a-t-il ajouté.
« En combinant les 40 années d’expérience que possède ON Semiconductor dans la production de plaquettes haute densité avec l’expertise de GTAT et les progrès rapides accomplis dans la croissance du cristal SiC, nous créerons une chaîne d’approvisionnement robuste et évolutive pour le marché dynamique des matériaux de puissance élevée à large structure de bande, estime Brent Wilson, vice-président en charge de la chaîne d’approvisionnement mondiale chez ON Semiconductor. Nous sommes enchantés de collaborer avec GTAT afin de développer davantage la technologie de matériau SiC à large structure de bande et de renforcer notre leadership dans ce secteur en plein développement », a-t-il précisé.
Les applications à forte croissance telles que les systèmes de traction pour véhicules électriques (VE), les véhicules électriques hybrides et rechargeables, l’énergie solaire et le stockage d’électricité, ainsi que la recharge de véhicules électriques, exigent et dépendent d’un approvisionnement robuste en matériaux SiC de haute qualité et compétitifs en termes de coûts. ON Semiconductor exploitera le cristal SiC de 150 mm mis au point en exclusivité par GTAT pour fabriquer ses plaquettes SiC, afin de renforcer son rôle de fournisseur vertical sur la chaîne d’approvisionnement en SiC et maintenir son approvisionnement de niveau mondial. Ce partenariat favorisera la disponibilité du SiC, produit leader du secteur, afin d’aider les ingénieurs à relever les défis de conception les plus uniques auxquels ils sont confrontés.
À propos de GTAT Corporation
GTAT Corporation, entreprise dont le siège social est situé à Hudson, dans l’État du New Hampshire (États-Unis), produit des matériaux à base de carbure de silicium et de saphir à destination des marchés à forte croissance. Ces matériaux sont fondamentaux pour permettre l’adoption accélérée d’une nouvelle génération de produits tels que les véhicules électriques, les moteurs industriels à haute puissance, les infrastructures de télécommunications, ainsi que les systèmes aérospatiaux et de défense. Pour toutes ces applications, le carbure de silicium et le saphir présentent des avantages techniques éprouvés. GTAT représente un partenaire de chaîne d’approvisionnement précieux pour les leaders de ces différents marchés. Pour de plus amples informations sur la société, veuillez visiter le site www.gtat.com.
À propos d’ON Semiconductor
ON Semiconductor (Nasdaq : ON) est à l’origine d’innovations à haute efficacité énergétique qui permettent aux clients de réduire leur consommation d’électricité à l’échelle mondiale. L’entreprise est un fournisseur majeur de solutions à base de semi-conducteurs proposant une gamme complète de systèmes de gestion de l’alimentation électrique à faible consommation d’énergie, systèmes analogiques, capteurs, systèmes logiques, temporisateurs, connectivités, systèmes discrets, SoC et dispositifs personnalisés. Les produits de la société aident les ingénieurs à relever leurs défis uniques en matière de conception dans divers domaines : automobile, communications, informatique, biens de consommation, industrie, médecine, aérospatiale et défense. ON Semiconductor exploite un programme de chaîne d’approvisionnement et de qualité à la fois réactif, fiable et d’envergure mondiale, un robuste programme de conformité et d’éthique, ainsi qu’un réseau composé de sites de fabrication, bureaux de vente et centres de conception sur des marchés clés situés dans toute l’Amérique du Nord, en Europe et dans la région Asie/Pacifique. Pour tout complément d’information, rendez-vous sur http://www.onsemi.com.
Le présent document contient des « énoncés prospectifs » tels que définis par la Section 27A du Securities Act de 1933 et ses modifications, ainsi que par la Section 21E du Securities Exchange Act de 1934 et ses modifications. Toutes les déclarations, autres que les déclarations de faits historiques, qui sont incluses ou incorporées dans le présent document, peuvent être considérées comme des énoncés prospectifs, en particulier celles qui concernent les performances financières futures d’ON Semiconductor, y compris les orientations financières pour l’exercice clôturé au 31 décembre 2020. Les énoncés prospectifs sont souvent caractérisés par l’emploi de termes tels que « croit », « estime », « envisage », « projette », « peut/pourrait », « prévoit », « planifie » ou « anticipe », par l’emploi du futur, ou encore par des discussions concernant une stratégie, des plans ou des intentions. Tous les énoncés prospectifs contenus dans le présent document sont émis en fonction de nos attentes, prévisions, estimations et hypothèses actuelles et comportent des risques, incertitudes et autres facteurs susceptibles de faire différer sensiblement les résultats ou événements de ceux exprimés dans les énoncés prospectifs.
Contacts de GTAT Corporation
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Directeur des communications marketing
Chris.vanveen@gtat.com
603.417.2230
Renseignements commerciaux :
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Contacts d’ON Semiconductor
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Directrice de la communication interne et des relations publiques
Sarah.rockey@onsemi.com
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